STB270N4F3技术参数详情：
STB270N4F3是意法半导体推出的一款AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET，采用D2PAK封装。其核心优势在于将高电流处理能力与极低的导通损耗相结合，在壳温25°C下可支持高达160A的连续漏极电流，同时在10V Vgs、80A Id条件下导通电阻典型值仅为2.5毫欧。
该器件基于STripFET III技术，具备40V的漏源电压和±20V的栅源电压范围。其栅极电荷（Qg）最大值控制在150nC，有助于实现高效的开关性能。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和330W的最大功率耗散能力，使其成为要求高可靠性、高效率的汽车电机驱动、电源转换和工业控制应用的理想选择。
- 型号:STB270N4F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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