STC5NF20V技术参数详情：
STC5NF20V是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的双N沟道逻辑电平MOSFET阵列，封装于紧凑的8-TSSOP中。其核心优势在于优异的性能平衡，提供低至40毫欧的导通电阻（@2.5A, 4.5V）以最小化传导损耗，同时具备仅11.5nC的低栅极电荷（@4.5V），确保快速开关与简易驱动。
该器件额定值为20V漏源电压与5A连续漏极电流，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于低压、高密度设计。这些特性使其成为空间和效率至关重要的同步整流、电机驱动、负载开关及便携设备电源管理等应用的理想选择。
- 型号:STC5NF20V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-TSSOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 8TSSOP
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 2.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460pF @ 15V
- 功率 - 最大值:1.5W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装:8-TSSOP
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