STB300NH02L

STB300NH02L是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。作为STripFET系列的一员，其核心优势在于极低的导通电阻与高电流处理能力，在10V驱动电压下，导通电阻典型值仅为1.8毫欧（@80A），连续漏极电流高达120A（Tc），能有效降低传导损耗，提升系统效率。

该器件设计用于24V电压环境，最大功率耗散为300W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在苛刻条件下的可靠运行。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于实现快速开关，减少开关损耗。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机驱动等低压大电流、高效率应用的优选功率开关解决方案。

• 型号:STB300NH02L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:109.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7055 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB300NH02L，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。