STU4N80K5技术参数详情：
STU4N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心参数包括800V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id），为系统提供了坚固的电压耐受能力和一定的电流处理能力。
其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在10V驱动电压下，其最大导通电阻（Rds(on)）低至2.5欧姆（@1.5A），有助于减少导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值10.5nC）和输入电容（Ciss，最大值175pF）确保了快速的开关瞬态，从而降低开关损耗并提升整体效率。器件采用IPAK（TO-251）通孔封装，最大功率耗散为60W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业环境。
- 型号:STU4N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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