STB30NF10T4

STB30NF10T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心特性包括100V的漏源电压（Vdss）和高达35A的连续漏极电流承载能力，为中等功率应用提供了充足的设计余量。

其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为45毫欧（@15A），有效降低了传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值55nC @10V）确保了快速的开关速度，有助于提升系统整体效率。器件支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，并具备115W的功率耗散能力，适用于要求高可靠性的工业与消费电子电源解决方案。

• 型号:STB30NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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