STH260N6F6-2

STH260N6F6-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的DeepGATE和STripFET VI产品系列。该器件采用H2PAK-2封装，核心优势在于其优异的电流处理能力与极低的功率损耗特性。

其关键参数包括60V的漏源电压（V_DSS）和高达180A（T_C=25°C）的连续漏极电流。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为2.4毫欧（@60A），配合183nC（@10V）的最大栅极电荷，实现了传导损耗与开关损耗的出色平衡，从而提升整体系统效率。

该器件设计用于高功率密度和高可靠性应用，宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和300W（T_C）的功率耗散能力，使其能够胜任严苛环境下的持续工作，是高要求电源转换和电机驱动方案的理想选择。

• 型号:STH260N6F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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