STB30NF20

STB30NF20是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心参数包括200V的漏源电压(Vdss)和30A的连续漏极电流(Id)，能够处理中高功率应用。

其关键优势在于优异的导通性能，在10V Vgs、15A Id条件下，导通电阻(RdsOn)最大值仅为75mΩ，有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷(38nC @10V)和输入电容特性，确保了快速的开关速度，有助于提升整体系统的转换效率和频率响应，适用于对效率和动态性能有要求的场景。

• 型号:STB30NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1597 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB30NF20，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。