STB32N65M5技术参数详情：
STB32N65M5是ST意法半导体推出的MDmesh V系列N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造。该器件额定值为650V漏源电压和24A连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值119mΩ @ 10V, 12A），能显著降低导通损耗，提升电源转换效率。
器件采用D2PAK表面贴装封装，具备150W的功率耗散能力和150°C的最高工作结温，确保了在高功率密度应用中的热可靠性。其优化的栅极电荷（Qg）和电容特性，有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。这些特性使其成为工业电源、电机驱动、光伏逆变器等高压、高效率功率转换系统的理想选择。
- 型号:STB32N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:119 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3320 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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