STB33N60DM2技术参数详情：
STB33N60DM2是意法半导体推出的MDmesh DM2系列N沟道功率MOSFET，采用先进的超结技术，专为高效高压开关应用而设计。其核心优势在于优异的开关性能与低损耗特性。
该器件额定电压为600V，在25°C壳温下可承载24A连续电流。其关键性能参数包括极低的导通电阻（典型值130mΩ @ 12A, 10V）和较低的栅极电荷（最大值43nC @ 10V），这共同实现了传导损耗与开关损耗的显著降低，有助于提升系统整体效率。器件采用D2PAK封装，最大功耗190W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性与鲁棒性。
- 型号:STB33N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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