STP78NF55-08技术参数详情：
STP78NF55-08是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件的核心电气参数定义了其在高压功率应用中的定位，具备550V的漏源电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流（Id）处理能力。
这些参数使其能够胜任高功率密度和高效率要求的开关任务，例如在开关电源和电机驱动中作为主功率开关。尽管该型号已停产，但其参数组合表明它曾是一款针对需要平衡高压、大电流与可靠性的应用而设计的解决方案。
- 型号:STP78NF55-08
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 550V TO-220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:155 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3740 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:-
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