STP40NF20技术参数详情：
STP40NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于结合了200V的漏源电压（Vdss）与高达40A的连续漏极电流（Id）处理能力，为中等功率应用提供了坚实的电压和电流基础。
该器件基于STripFET技术，实现了优异的导通特性，在10V驱动下导通电阻（RdsOn）典型值仅为45毫欧，这能显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，其优化的栅极电荷（Qg）和电容参数有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，适用于频率要求较高的场景。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了其在各种环境下的可靠性与稳定性。
- 型号:STP40NF20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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