STB35N65M5

STB35N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用先进的半导体技术，提供了650V的高耐压和27A（T_C=25°C）的连续电流处理能力，专为高效、高可靠性的功率转换应用而设计。

其核心优势在于极低的导通电阻（R_DS(on)），在10V栅极驱动下最大值仅为98mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g）和电容特性有助于实现快速的开关速度，从而降低开关损耗，提升系统整体效率。器件采用D2PAK封装，支持表面贴装工艺，并具备160W（T_C）的功率耗散能力和高达150°C的工作结温，确保了在严苛环境下的稳定运行和出色的热管理性能。

• 型号:STB35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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