STB47N60DM6AG技术参数详情：
STB47N60DM6AG是ST意法半导体提供的汽车级N沟道功率MOSFET，采用MDmesh DM6技术，具备600V的漏源击穿电压。该器件专为满足汽车电子应用的严苛要求而设计，通过了AEC-Q101认证，确保在恶劣环境下的高可靠性。
其核心优势在于优异的开关性能与低导通损耗的平衡。通过优化设计，实现了较低的栅极电荷和反向恢复电荷，有助于提升系统开关频率并降低整体功耗。采用DPAK（TO-263）表面贴装封装，提供了良好的功率处理能力和散热特性，适用于高功率密度设计。
- 型号:STB47N60DM6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2350 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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