STB36N60M6

STB36N60M6是ST意法半导体基于MDmesh M6技术开发的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK封装。其核心优势在于600V的漏源电压（V_DSS）和30A（T_C）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

该器件的关键电气参数突出了其高效能特性：导通电阻（R_DS(on)）低至99mΩ（@15A, 10V），有助于显著降低导通损耗；同时，其栅极电荷（Q_G）最大值仅为44.3nC（@10V），有利于实现快速开关并降低驱动损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和208W（T_C）的功率耗散能力，则确保了其在严苛环境下的高可靠性。

• 型号:STB36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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