STB40N20技术参数详情：
STB40N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和在壳温25°C下40A的连续漏极电流（Id），具备处理高压大电流负载的能力。
其关键优势在于优异的导通性能，在10V栅极驱动、20A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为45毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，最大75nC的栅极电荷（Qg）有利于实现高效的开关操作。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等功率转换应用中追求效率与可靠性的经典选择。
- 型号:STB40N20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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