STB45N40DM2AG

STB45N40DM2AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用MDmesh DM2技术，在400V的漏源电压（V_DSS）和38A的连续漏极电流（I_D）额定值下，提供了优异的性能平衡。

其核心优势在于极低的导通电阻（最大72mΩ @ 10V）与较低的栅极电荷（最大56nC @ 10V），这共同确保了在高频开关应用中兼具低传导损耗和低开关损耗，从而实现更高的系统效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）以及D2PAK封装带来的良好散热特性，使其能够可靠地应用于汽车和工业领域的严苛环境。

• 型号:STB45N40DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 38A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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