STPSC4H065DLF技术参数详情：
STPSC4H065DLF是意法半导体推出的一款650V/4A碳化硅肖特基二极管，采用表面贴装PowerFlat HV封装。其核心价值在于利用碳化硅材料特性，实现了零反向恢复时间（trr）和零反向恢复电荷（Qrr），从根本上消除了传统硅二极管在高频开关时产生的损耗与噪声。
该器件在4A电流下正向压降仅为1.55V，在650V反向电压下漏电流低至40A，确保了从导通到阻断状态的高效与稳定。这些特性使其特别适用于要求高效率、高频率和高工作温度的应用，如功率因数校正（PFC）、太阳能逆变器、电动汽车充电及高端工业电源，能够显著提升系统功率密度和可靠性。
- 型号:STPSC4H065DLF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIC 650V 4A POWERFLAT HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):4A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 4 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:245pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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