STB45N60DM2AG技术参数详情：
STB45N60DM2AG是ST意法半导体推出的AEC-Q101汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2系列。该器件采用D2PAK封装，核心参数包括600V的漏源电压（VDSS）和34A的连续漏极电流（ID），为高压大电流应用提供了基础保障。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）典型值低至90毫欧@17A，有效降低了导通损耗；同时，最大56nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关并减少驱动损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和250W的功率耗散能力，使其能够满足汽车及工业环境中对高效率和高可靠性的严苛要求。
- 型号:STB45N60DM2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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