STB45NF06

STB45NF06是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其优异的电气参数平衡：提供60V的漏源电压和高达38A的连续漏极电流处理能力，同时其导通电阻在10V驱动下可低至28毫欧，有效降低了导通损耗。

此外，该器件具备较低的栅极电荷（最大58nC）和输入电容，支持快速的开关切换，有助于提升开关电源等应用的效率。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）和80W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于电机驱动、电源转换等中等功率领域。

• 型号:STB45NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:980 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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