STP6N95K5

STP6N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高压环境，其核心规格包括950V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温下9A的连续漏极电流承载能力。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.25欧姆，有助于降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（13nC）和输入电容确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，从而提升系统整体效率。器件采用TO-220-3封装，提供良好的功率处理能力和散热特性，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。

• 型号:STP6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 现在可以订购STP6N95K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。