STB7N52K3技术参数详情：
STB7N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心额定参数为525V漏源电压（Vdss）和6A连续漏极电流（Id），专为高压功率开关应用而设计。
其技术亮点在于通过第三代SuperMESH3技术实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V栅极驱动下，其导通电阻典型值仅为980毫欧，有助于降低传导损耗；同时，34nC的最大栅极电荷确保了快速的开关切换能力，有利于提升系统效率与频率。这些特性使其成为开关电源初级侧、PFC及工业电源系统中要求高效率与高可靠性的关键功率开关元件的理想选择。
- 型号:STB7N52K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 525V 6A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:525 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:980 毫欧 @ 3.1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:737 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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