STB4NK60Z-1技术参数详情：
STB4NK60Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而设计。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在导通特性方面，其在10V驱动电压下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2欧姆（@2A），有效降低了导通损耗。在开关特性上，其栅极电荷（Qg）低至26nC（@10V），结合510pF的输入电容，确保了快速开关能力，有助于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。这些参数使其成为离线式电源、照明和工业控制等应用中高效功率转换的理想选择。
- 型号:STB4NK60Z-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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