STB50NE10T4

STB50NE10T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）和50A的连续漏极电流（Tc=25°C）处理能力，其关键优势在于极低的导通电阻，典型值仅为27毫欧（@25A, 10V），这能显著降低高电流应用中的导通损耗。

此外，该MOSFET具备优化的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）为166nC，配合10V的标准驱动电压，有助于实现高效的开关操作并简化驱动电路设计。器件结温（TJ）工作范围宽达-65°C至175°C，最大功率耗散为180W（Tc），确保了在高温、高功率环境下的可靠性与稳定性。请注意，此型号目前已停产，适用于存量维护或特定延续性设计项目。

• 型号:STB50NE10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:166 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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