STB200N6F3

STB200N6F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格包括60V的漏源电压（Vdss）和高达120A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力。

其关键性能参数在于极低的导通电阻，在10V Vgs、60A Id条件下，Rds(on)最大值仅为3.6毫欧，这能显著降低功率转换应用中的传导损耗。同时，100nC的典型栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关操作。这些特性使其非常适合用于高电流开关电源、电机驱动和功率分配系统等需要高效能功率管理的领域。

• 型号:STB200N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
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