STB50NF25技术参数详情：
STB50NF25是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格为250V漏源电压(Vdss)与45A连续漏极电流(Id)，具备强大的功率处理能力。
其技术亮点在于优异的导通特性与开关性能的平衡：在10V Vgs、22A Id条件下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为69毫欧，有助于最小化传导损耗；同时，最大68.2nC的栅极电荷(Qg)确保了较快的开关速度。结合160W的最大功耗和-55°C至150°C的宽工作结温范围，该器件为高可靠性、高功率密度的开关电源和电机驱动应用提供了稳健的解决方案。
- 型号:STB50NF25
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:250 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 22A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.2 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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