STB55NF03LT4

STB55NF03LT4是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于针对30V低压应用进行了优化，具备高达55A的连续漏极电流承载能力和极低的导通电阻（典型条件下最大13毫欧），能显著降低导通损耗，提升系统整体能效。

该器件设计注重开关性能与驱动便利性的平衡，其栅极电荷较低，支持4.5V至10V的标准驱动电压，易于集成到常见的控制电路中。同时，其高达175°C的最大工作结温和80W的功率耗散能力，确保了在高温、高功率密度应用环境下的稳定性和可靠性，适用于要求苛刻的电源转换与电机控制场景。

• 型号:STB55NF03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 55A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 27.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1265 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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