STB5N80K5

STB5N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心特性包括高达800V的漏源电压（V_DSS）和4A的连续漏极电流（I_D）能力，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优化的动态特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为1.75欧姆，同时栅极电荷（Q_g）极低。这种低R_DS(on)与低Q_g的组合，能够显著降低导通损耗和开关损耗，提升电源系统的整体能效。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类环境下的稳定性和长寿命。

• 型号:STB5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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