STW43N60DM2技术参数详情：
STW43N60DM2是ST意法半导体推出的MDmesh DM2系列N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其600V的漏源击穿电压与34A的连续漏极电流处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好平衡，典型导通电阻低至93毫欧，最大栅极电荷仅为56nC。这一特性组合直接转化为更低的传导损耗与开关损耗，有助于提升系统整体效率并简化驱动设计。该器件适用于要求高效率和高可靠性的工业级电源转换与电机驱动解决方案。
- 型号:STW43N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购STW43N60DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
