STB5NK50ZT4技术参数详情：
STB5NK50ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格为500V漏源电压和4.4A连续漏极电流，为高压应用提供了坚实的电气基础。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻最大值仅为1.5欧姆，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（28nC @10V）和输入电容有利于实现高效的开关操作，提升电源系统的整体频率和能效。这些特性使其成为离线式开关电源、功率因数校正及照明驱动等高压功率转换场景中的理想选择。
- 型号:STB5NK50ZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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