STB5NK52ZD-1技术参数详情：
STB5NK52ZD-1是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH系列。该器件设计用于处理高达520V的漏源电压（Vdss），并在壳温条件下提供4.4A的连续漏极电流，其核心优势在于通过优化的技术实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合。
具体而言，其在10V驱动电压下的典型导通电阻为1.5欧姆（@2.2A），有助于最小化传导损耗。同时，最大16.9nC的栅极电荷（@10V）确保了高效的开关性能。器件采用I2PAK通孔封装，最大功率耗散为70W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。
- 型号:STB5NK52ZD-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:520 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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