STB60NF10-1技术参数详情：
STB60NF10-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用I2PAK通孔封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至23毫欧（@40A），能显著降低传导损耗。同时，104nC的栅极电荷（Qg）与4270pF的输入电容（Ciss）参数，确保了器件具备良好的开关特性。这些参数共同使其成为高效率电源转换和电机驱动等应用的理想功率开关选择。
- 型号:STB60NF10-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-262（I2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4270 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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