STB80NF55-08T4技术参数详情：
STB80NF55-08T4是ST意法半导体STripFET系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。该器件设计用于提供优异的功率处理能力与开关效率，其核心参数包括55V的漏源电压（Vdss）以及在Tc条件下高达80A的连续漏极电流。
其关键优势在于极低的导通阻抗，在10V Vgs、40A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为8毫欧，这能显著降低导通损耗。同时，155nC的最大栅极电荷（Qg）有助于平衡开关速度与驱动损耗。这些特性使其非常适合应用于高效率的DC-DC转换、电机驱动及各类电源开关电路，以满足对热管理和能效的严格要求。
- 型号:STB80NF55-08T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:155 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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