STB60NF10T4

STB60NF10T4是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流处理能力，能够满足中高功率应用的需求。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的优化平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至23毫欧（@40A），这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，最大104nC的栅极电荷（Qg）有助于提升开关速度，减少开关损耗。这些特性共同确保了其在功率转换和开关应用中能够实现较高的整体效率。

• 型号:STB60NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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