STGB20V60F技术参数详情：
STGB20V60F是意法半导体推出的一款600V、40A的沟槽型场截止IGBT，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于实现了低导通损耗与快速开关性能的优化组合，典型饱和压降（Vce(on)）低至2.2V @ 20A，同时具备低至116nC的栅极电荷和微秒级的开关能量，这直接转化为更高的系统效率和更低的散热需求。
该器件设计坚固可靠，最大功耗达167W，结温工作范围宽至-55°C ~ 175°C，适用于严苛的工业环境。其标准输入特性简化了驱动电路设计。这些参数特性使其成为中高功率开关电源、电机驱动、UPS和太阳能逆变器等应用中对效率、功率密度和可靠性有严格要求的理想功率开关解决方案。
- 型号:STGB20V60F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-263
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:167 W
- 开关能量:200J（导通），130J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:116 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns
- 测试条件:400V，20A，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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