STB6N52K3技术参数详情：
STB6N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格包括525V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理能力。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻表现出色，有助于降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数确保了高效的开关性能，适合用于频率较高的功率转换拓扑。器件支持高达150°C的结温，热设计裕度充足。
综合来看，这款MOSFET主要面向需要高耐压和良好效率的电源与电机控制应用，如开关电源、PFC电路及电机驱动等，是此类设计中值得考虑的功率开关解决方案。
- 制造商产品型号：STB6N52K3
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：SuperMESH3
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：525V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：670pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：D2PAK
- 现在可以订购STB6N52K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
