IRF620技术参数详情：
IRF620是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，属于其PowerMESH II产品系列。该器件的核心电气参数为200V漏源电压（Vdss）和6A连续漏极电流（Id），为中压中电流开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优化的动态与静态性能。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）较低，有助于减少导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有利于实现快速的开关切换，提升系统频率和效率。这些特性使其在电源转换和电机控制等需要高效功率处理的场景中表现出色。
- 型号:IRF620
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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