STB6N62K3技术参数详情：
STB6N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心电气参数包括620V的漏源电压（Vdss）和5.5A的连续漏极电流（Tc条件下），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的导通特性与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.2欧姆，有助于降低通态损耗。同时，较低的栅极电荷（最大值34nC）有利于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升整体系统效率。这些特性使其成为开关电源、PFC电路及照明驱动等应用中高效功率开关的理想选择。
- 型号:STB6N62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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