STP10N80K5

STP10N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与低至600mΩ的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，能够在高压应用中显著降低导通损耗，提升系统效率。

其电气参数设计均衡，在10V驱动电压下，栅极电荷（Qg）仅为22nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用TO-220通孔封装，最大功率耗散能力达130W（Tc），工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，确保了在持续高功率运行及恶劣温度环境下的长期可靠性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动等高压功率转换应用的可靠选择。

• 型号:STP10N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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