STB70NF03LT4技术参数详情：
STB70NF03LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用D2PAK表面贴装封装。其核心优势在于30V的漏源电压（Vdss）下，提供了高达70A（Tc）的连续漏极电流处理能力，并通过优化的工艺将导通电阻（Rds(on)）最大值控制在极低的9.5毫欧（@35A, 10V），显著降低了功率传导损耗。
该器件具备优异的开关性能，其栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC（@5V），栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，支持快速开关并兼容标准逻辑电平驱动，有助于提升高频开关电源的效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）与100W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性，适用于高效率DC-DC转换、同步整流及电机驱动等应用。
- 制造商产品型号：STB70NF03LT4
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：STripFET II
- 零件状态：不用於新
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：70A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 35A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：30nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±18V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1440pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：100W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：D2PAK
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