STP2NK100Z技术参数详情：
STP2NK100Z是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其1000V的高漏源电压（Vdss）额定值与优化的开关特性的结合，为高压应用提供了可靠的解决方案。
其技术参数表现出色，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值为8.5欧姆，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg最大16nC）和输入电容显著提升了开关速度与效率，减少了驱动需求。器件采用TO-220AB封装，最大功耗70W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和耐用性。
- 型号:STP2NK100Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.85A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 900mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:499 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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