STB75NF75T4

STB75NF75T4是ST意法半导体STripFET II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK封装。该器件设计用于处理高功率应用，其核心优势在于极低的导通电阻与高电流能力的结合，在10V V_GS下R_DS(on)典型值仅为11毫欧，连续漏极电流高达80A，这显著降低了导通损耗，提升了系统效率。

其75V的漏源电压额定值提供了良好的设计裕度，而160nC的栅极电荷有助于实现快速的开关速度。该MOSFET支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，并采用表面贴装形式，适用于高密度PCB布局，是高可靠性、高效率电源转换和电机驱动方案的优选器件。

• 型号:STB75NF75T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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