TPI12011N技术参数详情：
TPI12011N是ST意法半导体推出的一款表面贴装型单向晶闸管浪涌保护器件，采用8SOIC封装。该器件核心设计用于为电子线路提供快速的过压钳位保护，其关键参数包括160V的导通电压阈值和30A（10/1000s波形）的峰值脉冲电流处理能力。
器件具备150mA的保持电流，确保在浪涌事件结束后能自动复位，实现可重复保护。它适用于需要应对感应浪涌和瞬态过压的直流或极性信号线路，是通信接口、工业控制端口及消费电子设备中常用的电路保护解决方案。
- 型号:TPI12011N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > 晶闸管
- 描述:THYRISTOR 30A 8-SOIC
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 电压 - 导通:160V
- 电压 - 断态:-
- 电压 - 通态:-
- 电流 - 峰值脉冲 (8/20s):-
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):30 A
- 电流 - 保持 (Ih):150 mA
- 元件数:1
- 电容:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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