STB75NH02LT4技术参数详情：
STB75NH02LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、30A Id条件下典型值仅为8毫欧，配合高达60A的连续漏极电流能力，能够显著降低大电流应用中的传导损耗。
此外，其优化的栅极电荷（典型22nC @ 5V）确保了快速的开关响应，有利于提升开关电源的转换频率和效率。器件支持高达20V的栅源电压，并与标准逻辑电平兼容，设计灵活。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和80W的功率耗散能力，使其能够适应要求严苛的工业与汽车环境，是高效功率开关解决方案的可靠选择。
- 型号:STB75NH02LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:24 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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