STP12NK60Z

STP12NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下10A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的电气基础。

其技术优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为640毫欧（@5A），有助于降低导通状态下的功率耗散。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值59nC @10V）有利于实现高效的开关速度，从而优化整体转换效率。器件支持高达150°C的结温工作，并具备150W（Tc）的功率处理能力，确保了在严苛环境下的可靠运行。

• 型号:STP12NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:640 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1740 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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