STB76NF80

STB76NF80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用D2PAK表面贴装封装。该器件设计用于高效处理中高功率应用，其核心电气参数包括80V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为11毫欧（@40A），这能显著降低功率传导损耗。同时，160nC（@10V）的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换电路中追求高效率与高可靠性的关键元件选择。

• 型号:STB76NF80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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