STB7NK80Z-1技术参数详情：
STB7NK80Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用I2PAK封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）与5.2A连续漏极电流（Id），专为高压、高可靠性应用而设计。
其技术优势在于优异的开关特性平衡：1.8欧姆的低导通电阻（最大值，@2.6A, 10V）有效降低了导通损耗，而最大56nC的低栅极电荷（@10V）则有助于实现快速开关并降低驱动损耗。结合125W（Tc）的功率耗散能力与-55°C至150°C的宽工作结温范围，该器件为提升系统效率与鲁棒性提供了坚实基础。
- 型号:STB7NK80Z-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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