STP60NE06L-16技术参数详情：
STP60NE06L-16是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于优异的导通性能与开关特性的结合，在60V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够持续承载高达60A（Tc）的电流。
该器件的关键卖点包括极低的导通电阻（典型值14mΩ @ 10V, 30A），这显著降低了功率传导损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为70nC @ 5V，有利于实现快速开关并简化驱动电路设计，从而提升系统整体效率。这些特性使其非常适合用于高效率的开关电源、电机驱动及功率转换模块等应用。
- 型号:STP60NE06L-16
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4150 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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