STB80N4F6AG

STB80N4F6AG是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，采用STripFET技术，封装为DPAK（TO-263）。该器件核心优势在于其高电流处理能力与低损耗特性，其连续漏极电流（T_C）高达80A，漏源电压（V_DSS）为40V。

其关键技术参数包括极低的导通电阻（典型值6毫欧 @ 40A, 10V）以及较低的栅极电荷（典型值36nC @ 10V），这共同确保了在开关和传导过程中的高效率与低功耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应严苛的环境要求，主要面向汽车电子和工业应用中的高可靠性开关与驱动场景。

• 型号:STB80N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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