STS6PF30L技术参数详情：
STS6PF30L是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的P沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件设计用于低压、高电流开关应用，其关键参数包括30V的漏源电压(Vdss)和6A的连续漏极电流(Id)，提供了稳健的电压与电流处理能力。
其核心优势在于优异的导通性能与开关特性平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))低至30毫欧（@3A），能有效降低导通损耗。同时，其栅极总电荷(Qg)最大值仅为28nC（@5V），结合2.5V的最大栅极阈值电压(Vgs(th))，确保了其能够被标准逻辑电平高效驱动，并实现快速的开关速度，从而降低整体系统的开关损耗和驱动复杂度。
- 型号:STS6PF30L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1670 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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