STD30NF03LT4技术参数详情：
STD30NF03LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心优势在于其30V的漏源电压和高达30A的连续漏极电流承载能力，结合低至25毫欧（最大值）的导通电阻，能显著降低功率损耗，提升系统效率。
其电气参数针对现代电源设计进行了优化，栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（4.5V-10V），且具有较低的栅极电荷（最大18nC），有利于实现快速开关并简化驱动电路。宽泛的工作结温范围（-65°C ~ 175°C）确保了其在恶劣环境下的稳定运行，适用于空间紧凑、要求高效率的电源转换和电机控制应用。
- 型号:STD30NF03LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:830 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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